（来源：半导体前线）
继HBM后，SOCAMM2芯片或是存储芯片领域下一个新星。
据韩媒报道，由于英伟达需要从全球DRAM行业采购约200亿GB的SOCAMM2芯片，三个供应商基本确定。三星电子获得英伟达2026年SOCAMM2芯片一半的订单，约100亿GB的订单。SK海力士可能承担约60-70亿GB的订单，剩余部分由美光供应。
SOCAMM技术定位为面向AI服务器的新型高带宽、低功耗内存解决方案，其设计目标是在提供与HBM（高带宽内存）相近性能的同时，有效降低成本。
通过将LPDRAM与压缩连接内存模块(CAMM)搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比传统的DDR5RDIMM配置更节省空间，且功耗低三分之一。
需要指出的是，SOCAMM与HBM二者并非直接竞争关系，而是互补存在，SOCAMM解决灵活性问题，而HBM通过与GPU的先进封装集成解决极致性能需求。更具前瞻性的是，SOCAMM2极有可能支持下一代低功耗内存LPDDR6。
SOCAMM2并非孤立存在的内存产品，其价值的充分发挥离不开与AI服务器生态的深度协同适配。从硬件层面来看，AI服务器的主板设计、CPU与内存控制器的兼容性，以及散热系统的布局，都需与SOCAMM2的特性相匹配。在软件层面，操作系统、AI框架以及驱动程序的优化，同样是SOCAMM2发挥性能的关键。
随着AI应用的爆发，高带宽、低延迟的内存需求急剧增长，传统DDR内存难以满足AI服务器对海量数据快速读写的要求。HBM虽性能卓越，但因成本高昂、产能受限，无法全面普及。SOCAMM2的出现恰逢其时，其融合LPDDR技术的优势，有望以更亲民的成本提供接近HBM的性能，填补市场空白。
而SOCAMM2的三大供应商之一，此次拿下大部分订单的三星，或能通过HBM、和SOCAMM2，逐步回到存储霸主的位置。
目前三星已完成HBM4的内部测试，如果包括英伟达在内的主要客户的质量认证结果最早在本月公布，三星可能很快就会开始进行HBM4的量产。
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